门极驱动正压对功率半导体性能的影响
judy -- 周四, 01/25/2024 - 11:17
本文将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
开关损耗
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
judy -- 周四, 08/31/2023 - 14:30
与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%
东芝开发全球首款双栅极RC-IEGT，可降低开关损耗
judy -- 周五, 06/17/2022 - 17:20
新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术，关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%，反向恢复损耗降低32%。因此，实际测量值中总开关损耗降低24%，而导通损耗没有任何增加。
用数据看TO-247封装单管开尔文管脚的重要性
judy -- 周三, 01/19/2022 - 15:25
为了大大减少开通损耗，英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚，称为开尔文发射极，专门用于驱动回路。