碳化硅

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点,使其成为了替代传统硅(Silicon,Si)材料的重要选择之一。

意法半导体隔离栅极驱动器:碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣

STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性

Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET,提升750V电动汽车设计性能

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率

功率电子器件从硅(Si)到碳化硅(SiC)的过渡

本文探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域,从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。

碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案

电子熔丝通过其可配置性、受控的导通和关断、车载诊断和对高电压瞬变的耐久性提高了系统级性能

SiC FET的脉冲电流能力量化

宽带隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET,正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛

基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块

通过碳化硅 TOLL 封装开拓人工智能计算的前沿

Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富,提供优异的散热,极大简化了热管理

Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块

650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用,以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。

SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀

本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达 5%

一文读懂碳化硅设计中的热管理

电源设计人员面临着提供更高效、更可靠和体积更小的解决方案的挑战,他们正在寻求 SiC 等新技术来帮助他们应对这些挑战并降低总成本。