碳化硅

Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂

将成为全球最大的200mm 半导体工厂,采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件

罗姆(ROHM)第4代:技术回顾

TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管,并于2022年7月公布了首批图像

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大

TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨

去年,TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量,对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性

UintedSiC银烧结技术在碳化硅市场中独树一帜

在涉及电子产品,尤其是集成半导体时,体积至关重要。数十年来,行业发展一直符合摩尔定律,它预测晶体管成本会年年降低

碳化硅器件在UPS中的应用研究

本文分析了目前不间断电源(UPS)在互联网数据中心中的应用和发展趋势。

AMP 创新型电动汽车充电解决方案采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件

通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术,将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。

SiC助力轨道交通驶向“碳达峰”

本文我们将重点介绍第三代半导体中的SiC(碳化硅)如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

在功率器件半导体领域,越来越需要高频高功率耐高温的功率器件,随着时间发展,硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限

碳化硅MOS 四引脚封装在应用中的优势

碳化硅MOS 芯片具有优异的高频特性,在高频应用中,传统的TO-247封装会制约其高频特性。