电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
judy -- 周二, 07/09/2024 - 10:10![](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture400/public/2024-07/wen_zhang_/100582618-352516-tu1wanzhengdecewenxitong-kuangtu.jpg?itok=S7-9OgfR)
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案
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具备行业领先的温控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电
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在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中,一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局
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STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
本文探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域,从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。