碳化硅

将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件

TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管，并于2022年7月公布了首批图像

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大

去年，TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量，对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性

在涉及电子产品，尤其是集成半导体时，体积至关重要。数十年来，行业发展一直符合摩尔定律，它预测晶体管成本会年年降低

本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。

通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。

本文我们将重点介绍第三代半导体中的SiC（碳化硅）如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标

在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限

碳化硅MOS 芯片具有优异的高频特性，在高频应用中，传统的TO-247封装会制约其高频特性。