碳化硅

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点,使其成为了替代传统硅(Silicon,Si)材料的重要选择之一。

如何充分发挥碳化硅耐高温的优势?

随着碳化硅(SiC)技术的发展,器件也在日趋成熟和商业化,其材料独特的耐高温性能正在加速推动结温从150℃走向175℃,有的公司称,现在已开始研发200℃结温的碳化硅器件。虽然碳化硅很耐高温,但是高温毕竟对器件的性能、故障率、寿命等都有很大的影响。

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

理想开关自身会带来挑战

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关,电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题,并带来更高的效率增益。