碳化硅 | 电子创新元件网

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

judy -- 周四, 08/31/2023 - 14:30

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%

judy -- 周二, 08/29/2023 - 15:02

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

judy -- 周五, 08/25/2023 - 11:29

SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性

judy -- 周二, 08/15/2023 - 11:16

碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用

judy -- 周二, 07/25/2023 - 11:18

在未来十年及以后，规模经济将继续降低碳化硅器件的成本，主要驱动因素是器件制造向8英寸碳化硅晶圆的过渡

judy -- 周三, 07/19/2023 - 10:12

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格

judy -- 周四, 07/06/2023 - 14:25

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%

judy -- 周二, 07/04/2023 - 14:23

在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构

judy -- 周二, 06/20/2023 - 10:23

根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。

judy -- 周五, 06/16/2023 - 10:41

本文介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。