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如何利用低电平有效输出驱动高端输入开关？

judy -- 周二, 06/11/2024 - 10:44

本文将探讨使用什么方法和技术可以监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关，从而执行系统电源循环。

judy -- 周一, 06/03/2024 - 16:18

以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在本不应该开启的时候被错误地开启，其结果可能会导致驱动轨电压对接地近乎短路

judy -- 周二, 05/07/2024 - 10:15

第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效

judy -- 周五, 04/26/2024 - 15:14

本文将讨论在耐辐射电源系统中采用软开关的基本策略及多种优势。

judy -- 周二, 04/23/2024 - 14:54

AW401005QCSR是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件，可适用于33W至100W手机充电功率的应用

judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:32

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

judy -- 周四, 03/14/2024 - 09:49

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计

judy -- 周五, 03/08/2024 - 11:28

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。本文将分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。

judy -- 周四, 03/07/2024 - 10:19

SGM48521Q 提供 7A 源电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的导通和关断时间

judy -- 周五, 03/01/2024 - 12:00

本文介绍了一个特定的雪崩功率函数，它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础