MOSFET

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用

Vishay针对车载充电应用推出七款新型二极管和MOSFET功率模块

灵活的器件采用PressFit引脚压合技术,在小型封装中内置各种电路配置

Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

Nexperia(安世半导体)通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征,并提供高温下的 SOA 数据曲线,消除了热降额设计的必要性,从而为设计人员提供进一步支持。

Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET

36V 锂离子电池是当今工具和户外动力设备的常用电源。由 36V 电池供电的产品得益于高功率输出和较长的电池寿命,同时也相对较轻且易于使用

上海贝岭为USB-PD应用提供高性能驱动IC和MOSFET解决方案

智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代,功能越来越丰富,随之带来了耗电量急剧上升的挑战

性能提升,功耗降低!,这样的MOSFET是你的最爱么?

该产品采用的小型TSOP6F封装,减少了所占板载空间。额定功率损耗为1.5W,不会造成能源浪费

Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET

DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理

豪威集团推出全新内阻双N沟道MOSFET

豪威集团全新推出两款MOSFET:业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC,助力移动电子设备小型化

TCK42xG系列现在允许用户从10V和5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择,这覆盖了更多规格的MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压,该产品能用于5V至24V的电源线路。