HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究
judy -- 周四, 03/23/2023 - 14:30相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流
相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流
RDS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%,有助于减少元器件数量并简化设计
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大
新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装*2DSN1006-3,在实现小型化的同时还降低了功耗
电器中配电、上电排序和电源状态转换都需要负载开关,它可以减小待机模式下的漏电流,抑制浪涌电流,实现断电控制
本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。
该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用
灵活的器件采用PressFit引脚压合技术,在小型封装中内置各种电路配置
Nexperia(安世半导体)通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征,并提供高温下的 SOA 数据曲线,消除了热降额设计的必要性,从而为设计人员提供进一步支持。