MOSFET

Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET

这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低,仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动),能将传导耗损降至最低,并提高效率

MOSFET与IGBT的区别

本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。

东芝推出新款150V N沟道功率MOSFET

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究

相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流

Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET

RDS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用

Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%,有助于减少元器件数量并简化设计

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大

ROHM推出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装*2DSN1006-3,在实现小型化的同时还降低了功耗

小而薄的MOSFET栅极驱动IC更适合小型化应用

电器中配电、上电排序和电源状态转换都需要负载开关,它可以减小待机模式下的漏电流,抑制浪涌电流,实现断电控制

专为工业应用而设计的MOSFET—TOLT封装

本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。